上半o–r）放大和分析超折叠结构。
然而，年全零维Cs4PbBr6的PL机制仍存在争议，需要进一步研究。国统（d）一维和零维钛基钙钛矿单晶的合成工艺示意图。
调电（b）正向和反向的J-V曲线。（3）零维钙钛矿具有较大的带隙、厂电超过缺陷和较低的PLQY，阻碍了其在光电器件中的应用。库存（g）单个Cs4PbBr6NCs的闪烁轨迹。
（h）从个体爆发（绿色和黄色）和单个发射极（蓝色）中提取的PL寿命，亿吨显示了类似的衰减曲线。同比（e）耦合到HamamatsuR2059PMT的Cs4EuBr6和Cs4EuI6单晶137Cs脉冲高度谱。
增长（b）两步旋转镀膜法制备零维钙钛矿薄膜示意图。
上半（h）在每个LED器件上进行的电容频率绘制在每个LED器件上。年全（d）M-N-C在-1.2V和RHE下的CO法拉第效率对比。
图七、国统MN3位点型M-N-C催化剂Ni-N3型位点催化剂的DFT计算、吸附能量、EXAFS光谱以及CO2RR中吉布斯自由能计算。但M-N-C催化剂中活性中心的内在活性仍然存在争议：调电一些报道认为MN4部分是活性中心，而另一些报道认为不饱和MNx部分的活性更高。
厂电超过电化学CO2还原为高附加值化学品/燃料提供了一种有希望的方法来减少CO2排放和缓解能源短缺。库存（b）合成气比例和总电流密度与蚀刻时间的关系。
